top of page

超赫科技率先推出1800V GaN HEMT on SiC功率元件

  • steveko8
  • 8月15日
  • 讀畢需時 1 分鐘

已更新：8月19日

台灣IC設計新創公司超赫科技股份有限公司(Ultraband Technologies, Inc.)宣布，其自行研發的GaN HEMT on SiC功率元件已成功實測達到1800V崩潰電壓，展現卓越的電壓承受能力與高效能潛力，未來更有望持續突破極限，實現更高崩潰電壓等級，提升產品應用廣度與深度。作為目前全球少數投入資源，並採用GaN HEMT on SiC平台開發功率元件的公司，超赫科技於4年前即展現超前佈署與前瞻眼光，搶先市場一步投入研發，並從元件物理、磊晶材料與結構及製造流程著手優化元件。因超赫科技GaN HEMT on SiC功率元件具多項優勢，有望全面改寫電力電子產品規格。

新聞稿： Digitimes

 
 
 

最新文章

查看全部
GaN on SiC 耐壓突破 1800V：高壓電源設計的新契機

這篇報導指出 GaN HEMT on SiC 元件的實測崩潰電壓突破 1800V ，對電力電子產業來說是一個重要里程碑。GaN 的高速開關特性結合 SiC 基板優異的散熱與耐電場能力，確實展現出在高壓應用上的潛力。未來若能解決製程良率與成本問題，並在可靠度驗證上取得進展，將...

 
 
 
第三類半導體 + AI：台灣的新機會！

資料來源： https://money.udn.com/money/story/5735/8996681# 在 SEMICON Taiwan 展會上，高功率元件應用研發聯盟展示了 SiC / GaN 的最新進展。這些材料憑藉高效率、低能耗、強散熱的特性，正逐漸成為...

 
 
 

留言

bottom of page