在次世代高速與高效率應用中，III–V 族化合物半導體（如 GaAs、InP、GaN on SiC）因其高電子遷移率、高崩潰電壓與優異的射頻特性，成為推動創新不可或缺的材料。超赫科技提供完整的 客製化 IC 設計服務，專注於 III–V 半導體平台，協助客戶在功率、頻率與整合度上取得突破。

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我們的團隊在多個關鍵領域具備深厚經驗：

Power IC：基於 GaN 的高效率功率開關與電源管理晶片，具備低導通電阻與高耐壓特性，特別適合車用電源、伺服器、基地台等高功率應用。

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毫米波 (mmWave) IC：涵蓋 24–40 GHz 甚至更高頻段的高整合度 RF 前端，支援相控陣列、波束賦形與低雜訊特性，廣泛應用於 5G、衛星通訊及新一代無線傳輸。

Wi-Fi 射頻 IC：針對 2.4/5/6 GHz 頻段提供低功耗、高靈敏度的收發器設計，為智慧家庭與 IoT 提供穩定連線。

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LNA / PA：以 GaAs 與 GaN 平台實現低雜訊放大器（LNA）與高線性功率放大器（PA），兼具高效率與高增益，適用於衛星、雷達與行動裝置射頻模組。

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除了單一電路設計，我們亦能提供完整的 架構規劃、電路模擬、製程選型、佈局驗證到量產導入的一站式服務。透過 III–V 半導體優勢結合系統級設計思維，我們不僅協助客戶提升元件效能，更能縮短產品開發週期，降低風險，加速上市時程。

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我們相信，每一顆晶片都能因應應用需求而獨一無二。我們的客製化 IC 設計解決方案，正是幫助合作夥伴在功率電子、無線通訊與高頻射頻領域持續保持領先的關鍵。