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超赫科技此次展示的16×16 Ku頻段相控陣模組，定位為可跨任務重複使用的模組化硬體建構單元。 隨著全球衛星通訊產業快速邁向多軌道、多頻段（Multi-orbit, Multi-band）架構發展，地面終端設備的靈活性與可擴展性正成為營運商關注的核心議題。超赫科技（Ultraband Technologies）宣布，將於 2026美國衛星展（Satellite 2026）台灣館展示其16×16 Ku頻段相控陣模組，透過模組化設計理念，為多軌道、多頻段衛星通訊提供更具彈性與可規模化的終端設備解決方案。 在多軌道、多頻段衛星網路逐漸成形的背景下，地面終端設備需同時支援不同軌道與頻段衛星系統。然而，以相控陣天線為核心的終端設備，在導入多軌道、多頻段架構時，營運商普遍面臨量產與大規模部署成本快速攀升的挑戰。 針對此需求，超赫科技提出一套具備可預測性與一致性的地面終端設備演進方案，針對同時營運多種衛星星系的全球衛星營運商，協助維持技術平台一致性，並有效因應量產與部署階段的成本與效能挑戰。 超赫科技此次展示的16×16 Ku頻段相控陣模組，定位為可跨任務重複

隨著5G通訊技術的迅速發展，對於高頻、高功率及高效率的功率元件需求日益增加。氮化鎵（GaN）功率元件因其優異的電子特性和熱管理能力，成為推動5G毫米波及低軌衛星通訊系統性能提升的關鍵技術。本文將深入解析GaN功率元件的技術優勢、應用場景及其如何顯著提升5G系統的整體效能，並探討未來發展趨勢與挑戰。 高效能GaN技術應用於5G通訊系統 GaN功率元件相較於傳統矽基元件，具備更高的電子遷移率、更寬的能隙以及更強的熱導率，這些特性使其在高頻高功率應用中展現出卓越的性能。5G毫米波頻段通常在24 GHz以上，對功率放大器的線性度、效率及熱穩定性提出嚴苛要求。GaN元件能夠在高電壓和高頻率下穩定運作，顯著降低功率損耗，提升系統的能效比。 此外，GaN元件的高擊穿電壓特性使其能夠承受更高的電壓，從而實現更大功率輸出，這對於5G基站的遠距離傳輸和高容量數據處理至關重要。其優異的熱管理能力也有助於減少散熱系統的體積與成本，促進5G設備的小型化與輕量化設計。 圖1：GaN功率元件在高頻通訊電路中的應用示意 GaN功率元件提升5G毫米波性能的技術機制...

隨著5G通訊技術的迅速發展，對於高頻率、高功率及高效率的功率元件需求日益增加。氮化鎵（GaN）功率元件因其優異的電子特性，成為推動5G毫米波及低軌衛星通訊系統性能提升的關鍵技術。本文將深入解析GaN功率元件的技術優勢、應用場景及其如何促進5G通訊系統的整體效能提升，並探討未來發展趨勢與挑戰。 高效能GaN技術應用於5G通訊系統 GaN功率元件具備寬能隙、高電子飽和速度及高熱導率等特性，使其在高頻高功率應用中展現出顯著優勢。相較於傳統矽基功率元件，GaN元件能夠在更高的電壓和頻率下運作，且損耗更低，這對於5G毫米波頻段的射頻放大器及功率放大器至關重要。 在5G基站中，GaN功率元件能有效提升射頻功率放大器的效率，降低系統整體功耗，並縮小散熱系統體積，從而實現更高密度的基站部署。此外，GaN元件的高頻特性使其能夠支持更寬的頻譜帶寬，滿足5G多頻段、多載波的複雜需求。 GaN功率元件的技術優勢與性能指標 GaN功率元件的核心優勢主要體現在以下幾個方面： 高擊穿電壓 ：GaN材料的寬能隙特性使其擊穿電壓遠高於矽元件，適合高壓應用。 高電子遷移率...

這篇報導指出 GaN HEMT on SiC 元件的實測崩潰電壓突破 1800V ，對電力電子產業來說是一個重要里程碑。GaN 的高速開關特性結合 SiC 基板優異的散熱與耐電場能力，確實展現出在高壓應用上的潛力。未來若能解決製程良率與成本問題，並在可靠度驗證上取得進展，將...

資料來源： https://money.udn.com/money/story/5735/8996681# 在 SEMICON Taiwan 展會上，高功率元件應用研發聯盟展示了 SiC / GaN 的最新進展。這些材料憑藉高效率、低能耗、強散熱的特性，正逐漸成為...

超赫科技(Ultraband Technologies) 將參加 2025 台北國際航太暨國防工業展 (TADTE 2025)！ 📍 攤位號碼：K0328｜南港展覽館一館 (TaiNEX 1)  🗓️ 展期：2025/9/18–20 我們將展示最新的 RF...

台灣IC設計新創公司超赫科技股份有限公司(Ultraband Technologies, Inc.)宣布，其自行研發的GaN HEMT on SiC功率元件已成功實測達到1800V崩潰電壓，展現卓越的電壓承受能力與高效能潛力，未來更有望持續突破極限，實現更高崩潰電壓等級，提...

資料來源： DIGITIMES 超赫科技作為無線通訊器件領域技術開發者，著重於功率放大器半導體元件優化，主要使用三五族化合物半導體的電晶體，包括氮化鎵HEMT（GaN HEMT）、砷化鎵pHEMT（GaAs pHEMT），已於產業技術瓶頸上有重大突破。過去在無線通訊領域中，...