快訊

這篇報導指出 GaN HEMT on SiC 元件的實測崩潰電壓突破 1800V ，對電力電子產業來說是一個重要里程碑。GaN 的高速開關特性結合 SiC 基板優異的散熱與耐電場能力，確實展現出在高壓應用上的潛力。未來若能解決製程良率與成本問題，並在可靠度驗證上取得進展，將...

資料來源： https://money.udn.com/money/story/5735/8996681# 在 SEMICON Taiwan 展會上，高功率元件應用研發聯盟展示了 SiC / GaN 的最新進展。這些材料憑藉高效率、低能耗、強散熱的特性，正逐漸成為...

超赫科技(Ultraband Technologies) 將參加 2025 台北國際航太暨國防工業展 (TADTE 2025)！ 📍 攤位號碼：K0328｜南港展覽館一館 (TaiNEX 1)  🗓️ 展期：2025/9/18–20 我們將展示最新的 RF...

台灣IC設計新創公司超赫科技股份有限公司(Ultraband Technologies, Inc.)宣布，其自行研發的GaN HEMT on SiC功率元件已成功實測達到1800V崩潰電壓，展現卓越的電壓承受能力與高效能潛力，未來更有望持續突破極限，實現更高崩潰電壓等級，提...

資料來源： DIGITIMES 超赫科技作為無線通訊器件領域技術開發者，著重於功率放大器半導體元件優化，主要使用三五族化合物半導體的電晶體，包括氮化鎵HEMT（GaN HEMT）、砷化鎵pHEMT（GaAs pHEMT），已於產業技術瓶頸上有重大突破。過去在無線通訊領域中，...

資料來源： 經濟日報 功率放大器（PA）廠超赫科技傳捷報，其所設計的特殊磊晶結構正式取得中華民國專利證書，並已著手海外六個國家專利申請案，目前都已進入最後審查階段，透過此特殊磊晶結構製造的高線性功率放大器元件，預料將會更具市場競爭力，並帶領通訊產業進入下一個新篇章。...