超赫科技(Ultraband Technologies) 將參加 2025 台北國際航太暨國防工業展 (TADTE 2025)！

📍 攤位號碼：K0328｜南港展覽館一館 (TaiNEX 1)

🗓️ 展期：2025/9/18–20

我們將展示最新的 RF 與高功率技術方案，期待與業界夥伴、客戶及專業人士面對面交流。🚀

誠摯邀請您來到 K0328 攤位一起探索更多可能！

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這篇報導指出 GaN HEMT on SiC 元件的實測崩潰電壓突破 1800V ，對電力電子產業來說是一個重要里程碑。GaN 的高速開關特性結合 SiC 基板優異的散熱與耐電場能力，確實展現出在高壓應用上的潛力。未來若能解決製程良率與成本問題，並在可靠度驗證上取得進展，將...

資料來源： https://money.udn.com/money/story/5735/8996681# 在 SEMICON Taiwan 展會上，高功率元件應用研發聯盟展示了 SiC / GaN 的最新進展。這些材料憑藉高效率、低能耗、強散熱的特性，正逐漸成為...

台灣IC設計新創公司超赫科技股份有限公司(Ultraband Technologies, Inc.)宣布，其自行研發的GaN HEMT on SiC功率元件已成功實測達到1800V崩潰電壓，展現卓越的電壓承受能力與高效能潛力，未來更有望持續突破極限，實現更高崩潰電壓等級，提...