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核心技術

從材料到天線，我們一站式打造未來

超赫科技具備完整的研發能量，從半導體元件開發、IC 設計、封裝、電源管理，到天線模組系統化整合，提供一站式解決方案。

水波紋

元件

晶片設計

封裝

電源

天線模組

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Device with high linearcharacteristic

MMIC(PA, LNA, Switch and FEM)

3D MMIC package

Antenna Module Designs(5G FR2 and Satcom)

High voltage (>1200V) and high switching frequency power GaN on SiC devices

元件

射頻特性可實現高線性度與高輸出功率

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功率元件具備更高的崩潰電壓，例如 AI 伺服器所需的 1200V，或電動車充電器所需的 1700V

Epitaxy

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功率放大器

晶片設計

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MMIC

(PA, LNA, Switch and FEM)

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功率元件

​封裝

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Passive part(IPD)

Active part

(III-V compound )

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3D MMIC 封裝

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Active part

(III-V compound )

Passive part

(IPD)

​電源

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Device: GaN on SiC

BV: lager than 1200V

Ron: 30 mΩ to 150mΩ

高電壓（>1200V）與高開關頻率的 GaN-on-SiC 功率器件

天線模組

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天線模組設計

(應用於5G FR2 與衛星通訊)

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可拓展成不同尺寸天線

滿足於不同應用所需

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