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Power

採用先進 GaN-on-SiC 技術與精密製造工藝,結合 D-mode、Cascode 等多樣結構,覆蓋 650V 至 1200V 高耐壓範圍,全面滿足高壓、高頻與高功率密度的電力電子需求。憑藉氮化鎵材料的高電子遷移率與卓越熱導特性,Power 系列在超高電壓環境中依然實現 極高效率、低切換損耗與長期穩定可靠性。嚴格的品質管控確保每款產品在嚴苛應用條件下仍能提供 一致、可靠且高效的性能,廣泛適用於新一代高效能電力系統、工業控制、再生能源、電動車及航太國防領域。

D-GaN HEMTs

高崩潰電壓、低導通電阻的電源 HEMT 元件,專為高壓應用設計,並提供裸晶型式以支援標準晶片鍵合製程

Specification
UPDC4G48A8
UPDC5G78B1
VBD
650 V
1200 V
RON
80 mohm
120 mohm
Ciss
243 pF
248 pF
Coss
26 pF
17 pF
VGS(th)
-16 V
-14 V
ID(MAX)
20 A
20 A
ID(MAX)
20 A
20 A
Package
Bare Die
Bare Die
Link
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