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GaN on SiC 耐壓突破 1800V：高壓電源設計的新契機

  • steveko8
  • 9月22日
  • 讀畢需時 1 分鐘

這篇報導指出 GaN HEMT on SiC 元件的實測崩潰電壓突破 1800V，對電力電子產業來說是一個重要里程碑。GaN 的高速開關特性結合 SiC 基板優異的散熱與耐電場能力，確實展現出在高壓應用上的潛力。未來若能解決製程良率與成本問題，並在可靠度驗證上取得進展，將有望在 電動車 OBC、高功率快充、AI 伺服器電源 等領域發揮關鍵作用。對工程師而言，這不僅是材料與元件技術的突破，也意味著系統設計在熱管理、封裝寄生參數以及長期可靠度上，將迎來新的挑戰與機會。


 
 
 

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