<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?><rss xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/" xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/" xmlns:atom="http://www.w3.org/2005/Atom" version="2.0"><channel><title><![CDATA[超赫科技]]></title><description><![CDATA[ultrabandtech]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/news</link><generator>RSS for Node</generator><lastBuildDate>Thu, 24 Sep 2026 07:35:23 GMT</lastBuildDate><atom:link href="https://www.ultrabandtech.com/zh/blog-feed.xml" rel="self" type="application/rss+xml"/><item><title><![CDATA[Ultraband &#38; NTT-AT sign MOU to boost RF, Power collaboration]]></title><description><![CDATA[Ultraband-NTT-AT RF/power semi MOU. L: Y.Sakai (NTT-AT GM); R: Wu (Ultraband CEO). Credit: Ultraband Ultraband Technologies, an emerging IC design startup, announced today the official signing of a Memorandum of Understanding (MOU) with NTT ADVANCED  TECHNOLOGY CORPORATION (NTT-AT), a subsidiary of Japan's NTT Group. Focusing on III-V compound semiconductor technologies, the two companies plan to establish a supply chain partnership spanning upstream epitaxial development, midstream product...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/post/ultraband-ntt-at-sign-mou-to-boost-rf-power-collaboration</link><guid isPermaLink="false">6a276d9fbcf454bfefdc95ba</guid><pubDate>Tue, 09 Jun 2026 01:35:35 GMT</pubDate><enclosure url="https://static.wixstatic.com/media/bd7b91_46af447a05a34edfb1f77c5db4e0e083~mv2.jpg/v1/fit/w_750,h_562,al_c,q_80/file.png" length="0" type="image/png"/><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[超赫科技攜手日本NTT-AT簽署MOU深化RF與Power半導體戰略合作]]></title><description><![CDATA[超赫科技攜手日本NTT-AT簽署RF與Power半導體戰略合作MOU（右為超赫總經理吳展興，左為 NTT-AT本部長界義久） 超赫科技攜手日本NTT-AT簽署RF與Power半導體戰略合作MOU（右為超赫總經理吳展興，左為 NTT-AT本部長界義久） 新創IC設計公司超赫科技近日宣布，已正式與日本電信集團NTT旗下專注在前瞻技術的NTT-AT（NTT ADVANCED TECHNOLOGY CORPORATION）簽署合作備忘錄（MOU）。雙方將聚焦於三五族化合物半導體技術，規劃從「上游磊晶開發」、「中游產品設計開發」到「下游市場拓展」的整體產業鏈合作。 以Power半導體為深化起點  RF合作同步並進 本次戰略合作旨在結合超赫科技與NTT-AT的核心技術優勢，共同因應全球電動車、車用電子、綠能、AI伺服器及高頻通訊（如5G Advanced、6G及衛星通訊）市場的發展趨勢。雙方在具體業務推進上已建立溝通機制，逐步開展兩大領域的技術與產品布局： 1.功率（Power）半導體逐步深化：雙方以此作為首波合作的核心起點，結合NTT-AT在三五族化合物半導體（如GaN）的磊晶材料技術，以...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/%E8%B6%85%E8%B5%AB%E7%A7%91%E6%8A%80%E6%94%9C%E6%89%8B%E6%97%A5%E6%9C%ACntt-at%E7%B0%BD%E7%BD%B2mou%E6%B7%B1%E5%8C%96rf%E8%88%87power%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94%E6%88%B0%E7%95%A5%E5%90%88%E4%BD%9C</link><guid isPermaLink="false">6a276b36bcf454bfefdc90a9</guid><pubDate>Tue, 09 Jun 2026 01:33:39 GMT</pubDate><enclosure url="https://static.wixstatic.com/media/bd7b91_46af447a05a34edfb1f77c5db4e0e083~mv2.jpg/v1/fit/w_750,h_562,al_c,q_80/file.png" length="0" type="image/png"/><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[Ultraband at Satellite 2026: Modular Tech for Multi-Orbit Satellite Era]]></title><description><![CDATA[As the global satellite communications industry rapidly advances toward a multi-orbit, multi-band architecture, the flexibility and scalability of ground terminal equipment have become core concerns for operators. Ultraband Technologies announced it will showcase its 16×16 Ku-band phased array module at the Taiwan Space Pavilion during Satellite 2026. Through a modular design philosophy, the company delivers more flexible and scalable terminal solutions for multi-orbit, multi-band satellite...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/post/ultraband-at-satellite-2026-modular-tech-for-multi-orbit-satellite-era</link><guid isPermaLink="false">69ba35d09f707efd84e38a9e</guid><pubDate>Wed, 18 Mar 2026 05:20:10 GMT</pubDate><enclosure url="https://static.wixstatic.com/media/bd7b91_94c7e885558148e2b9d68a588303c00f~mv2.jpg/v1/fit/w_750,h_500,al_c,q_80/file.png" length="0" type="image/png"/><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[超赫科技進軍2026美國衛星展 以模組化啟動衛星通訊新紀元]]></title><description><![CDATA[超赫科技此次展示的16×16 Ku頻段相控陣模組，定位為可跨任務重複使用的模組化硬體建構單元。 隨著全球衛星通訊產業快速邁向多軌道、多頻段（Multi-orbit, Multi-band）架構發展，地面終端設備的靈活性與可擴展性正成為營運商關注的核心議題。超赫科技（Ultraband Technologies）宣布，將於 2026美國衛星展（Satellite 2026）台灣館展示其16×16 Ku頻段相控陣模組，透過模組化設計理念，為多軌道、多頻段衛星通訊提供更具彈性與可規模化的終端設備解決方案。 在多軌道、多頻段衛星網路逐漸成形的背景下，地面終端設備需同時支援不同軌道與頻段衛星系統。然而，以相控陣天線為核心的終端設備，在導入多軌道、多頻段架構時，營運商普遍面臨量產與大規模部署成本快速攀升的挑戰。 針對此需求，超赫科技提出一套具備可預測性與一致性的地面終端設備演進方案，針對同時營運多種衛星星系的全球衛星營運商，協助維持技術平台一致性，並有效因應量產與部署階段的成本與效能挑戰。 超赫科技此次展示的16×16 Ku頻段相控陣模組，定位為可跨任務重複使用的模組化硬體建構單元，能作為不...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/%E8%B6%85%E8%B5%AB%E7%A7%91%E6%8A%80%E9%80%B2%E8%BB%8D2026%E7%BE%8E%E5%9C%8B%E8%A1%9B%E6%98%9F%E5%B1%95-%E4%BB%A5%E6%A8%A1%E7%B5%84%E5%8C%96%E5%95%9F%E5%8B%95%E8%A1%9B%E6%98%9F%E9%80%9A%E8%A8%8A%E6%96%B0%E7%B4%80%E5%85%83</link><guid isPermaLink="false">69ba1ed5fde2f1f6ed29ec9b</guid><pubDate>Wed, 18 Mar 2026 03:43:54 GMT</pubDate><enclosure url="https://static.wixstatic.com/media/bd7b91_94c7e885558148e2b9d68a588303c00f~mv2.jpg/v1/fit/w_750,h_500,al_c,q_80/file.png" length="0" type="image/png"/><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[解析GaN功率元件如何提升5G性能 - 高效能GaN技術應用]]></title><description><![CDATA[隨著5G通訊技術的迅速發展，對於高頻、高功率及高效率的功率元件需求日益增加。氮化鎵（GaN）功率元件因其優異的電子特性和熱管理能力，成為推動5G毫米波及低軌衛星通訊系統性能提升的關鍵技術。本文將深入解析GaN功率元件的技術優勢、應用場景及其如何顯著提升5G系統的整體效能，並探討未來發展趨勢與挑戰。 高效能GaN技術應用於5G通訊系統 GaN功率元件相較於傳統矽基元件，具備更高的電子遷移率、更寬的能隙以及更強的熱導率，這些特性使其在高頻高功率應用中展現出卓越的性能。5G毫米波頻段通常在24 GHz以上，對功率放大器的線性度、效率及熱穩定性提出嚴苛要求。GaN元件能夠在高電壓和高頻率下穩定運作，顯著降低功率損耗，提升系統的能效比。 此外，GaN元件的高擊穿電壓特性使其能夠承受更高的電壓，從而實現更大功率輸出，這對於5G基站的遠距離傳輸和高容量數據處理至關重要。其優異的熱管理能力也有助於減少散熱系統的體積與成本，促進5G設備的小型化與輕量化設計。 圖1：GaN功率元件在高頻通訊電路中的應用示意 GaN功率元件提升5G毫米波性能的技術機制...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/%E8%A7%A3%E6%9E%90gan%E5%8A%9F%E7%8E%87%E5%85%83%E4%BB%B6%E5%A6%82%E4%BD%95%E6%8F%90%E5%8D%875g%E6%80%A7%E8%83%BD-%E9%AB%98%E6%95%88%E8%83%BDgan%E6%8A%80%E8%A1%93%E6%87%89%E7%94%A8-1</link><guid isPermaLink="false">69a4e0a92b1318a2485095a2</guid><pubDate>Mon, 09 Mar 2026 00:30:12 GMT</pubDate><enclosure url="https://static.wixstatic.com/media/bd7b91_154493b3042b489c8d5060a97945669d~mv2.png/v1/fit/w_1000,h_576,al_c,q_80/file.png" length="0" type="image/png"/><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[解析GaN功率元件如何提升5G性能 - 高效能GaN技術應用]]></title><description><![CDATA[隨著5G通訊技術的迅速發展，對於高頻率、高功率及高效率的功率元件需求日益增加。氮化鎵（GaN）功率元件因其優異的電子特性，成為推動5G毫米波及低軌衛星通訊系統性能提升的關鍵技術。本文將深入解析GaN功率元件的技術優勢、應用場景及其如何促進5G通訊系統的整體效能提升，並探討未來發展趨勢與挑戰。 高效能GaN技術應用於5G通訊系統 GaN功率元件具備寬能隙、高電子飽和速度及高熱導率等特性，使其在高頻高功率應用中展現出顯著優勢。相較於傳統矽基功率元件，GaN元件能夠在更高的電壓和頻率下運作，且損耗更低，這對於5G毫米波頻段的射頻放大器及功率放大器至關重要。 在5G基站中，GaN功率元件能有效提升射頻功率放大器的效率，降低系統整體功耗，並縮小散熱系統體積，從而實現更高密度的基站部署。此外，GaN元件的高頻特性使其能夠支持更寬的頻譜帶寬，滿足5G多頻段、多載波的複雜需求。 GaN功率元件的技術優勢與性能指標 GaN功率元件的核心優勢主要體現在以下幾個方面： 高擊穿電壓 ：GaN材料的寬能隙特性使其擊穿電壓遠高於矽元件，適合高壓應用。 高電子遷移率...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/%E8%A7%A3%E6%9E%90gan%E5%8A%9F%E7%8E%87%E5%85%83%E4%BB%B6%E5%A6%82%E4%BD%95%E6%8F%90%E5%8D%875g%E6%80%A7%E8%83%BD-%E9%AB%98%E6%95%88%E8%83%BDgan%E6%8A%80%E8%A1%93%E6%87%89%E7%94%A8</link><guid isPermaLink="false">69a78726ffff75773eb7f409</guid><pubDate>Mon, 09 Mar 2026 00:30:10 GMT</pubDate><enclosure url="https://static.wixstatic.com/media/bd7b91_619da5e48fa948c2b17e00cda1e85376~mv2.png/v1/fit/w_1000,h_576,al_c,q_80/file.png" length="0" type="image/png"/><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[GaN on SiC 耐壓突破 1800V：高壓電源設計的新契機]]></title><description><![CDATA[這篇報導指出 GaN HEMT on SiC 元件的實測崩潰電壓突破 1800V ，對電力電子產業來說是一個重要里程碑。GaN 的高速開關特性結合 SiC 基板優異的散熱與耐電場能力，確實展現出在高壓應用上的潛力。未來若能解決製程良率與成本問題，並在可靠度驗證上取得進展，將...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/gan-on-sic-%E8%80%90%E5%A3%93%E7%AA%81%E7%A0%B4-1800v%EF%BC%9A%E9%AB%98%E5%A3%93%E9%9B%BB%E6%BA%90%E8%A8%AD%E8%A8%88%E7%9A%84%E6%96%B0%E5%A5%91%E6%A9%9F</link><guid isPermaLink="false">68d1048ed5ac6ba27688505a</guid><pubDate>Mon, 22 Sep 2025 08:11:20 GMT</pubDate><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[第三類半導體 + AI：台灣的新機會！]]></title><description><![CDATA[資料來源： https://money.udn.com/money/story/5735/8996681# 在 SEMICON Taiwan 展會上，高功率元件應用研發聯盟展示了 SiC / GaN 的最新進展。這些材料憑藉高效率、低能耗、強散熱的特性，正逐漸成為...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/%E7%AC%AC%E4%B8%89%E9%A1%9E%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E9%AB%94-ai%EF%BC%9A%E5%8F%B0%E7%81%A3%E7%9A%84%E6%96%B0%E6%A9%9F%E6%9C%83%EF%BC%81</link><guid isPermaLink="false">68cc0dad60499c51a8af0dac</guid><pubDate>Thu, 18 Sep 2025 13:49:29 GMT</pubDate><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[超赫科技(Ultraband Technologies) 將參加 2025 台北國際航太暨國防工業展 (TADTE 2025)！]]></title><description><![CDATA[超赫科技(Ultraband Technologies) 將參加 2025 台北國際航太暨國防工業展 (TADTE 2025)！  攤位號碼：K0328｜南港展覽館一館 (TaiNEX 1)  ️ 展期：2025/9/18–20 我們將展示最新的 RF...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/%E8%B6%85%E8%B5%AB%E7%A7%91%E6%8A%80-ultraband-technologies-%E5%B0%87%E5%8F%83%E5%8A%A0-2025-%E5%8F%B0%E5%8C%97%E5%9C%8B%E9%9A%9B%E8%88%AA%E5%A4%AA%E6%9A%A8%E5%9C%8B%E9%98%B2%E5%B7%A5%E6%A5%AD%E5%B1%95-tadte-2025-%EF%BC%81-1</link><guid isPermaLink="false">68ca10021ce12776d6ec2af7</guid><pubDate>Wed, 17 Sep 2025 01:34:06 GMT</pubDate><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[ Ultraband Technologies will be exhibiting at TADTE 2025]]></title><description><![CDATA[We’re thrilled to announce that Ultraband Technologies will be exhibiting at TADTE 2025 — it’s an honor to join the premier Aerospace &#38;...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/post/%E8%B6%85%E8%B5%AB%E7%A7%91%E6%8A%80-ultraband-technologies-%E5%B0%87%E5%8F%83%E5%8A%A0-2025-%E5%8F%B0%E5%8C%97%E5%9C%8B%E9%9A%9B%E8%88%AA%E5%A4%AA%E6%9A%A8%E5%9C%8B%E9%98%B2%E5%B7%A5%E6%A5%AD%E5%B1%95-tadte-2025-%EF%BC%81</link><guid isPermaLink="false">68ca0df8eb24891320bb0e9b</guid><pubDate>Wed, 17 Sep 2025 01:25:51 GMT</pubDate><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[超赫科技率先推出1800V GaN HEMT on SiC功率元件]]></title><description><![CDATA[台灣IC設計新創公司超赫科技股份有限公司(Ultraband Technologies, Inc.)宣布，其自行研發的GaN HEMT on SiC功率元件已成功實測達到1800V崩潰電壓，展現卓越的電壓承受能力與高效能潛力，未來更有望持續突破極限，實現更高崩潰電壓等級，提...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/%E8%B6%85%E8%B5%AB%E7%A7%91%E6%8A%80%E7%8E%87%E5%85%88%E6%8E%A8%E5%87%BA1800v-gan-hemt-on-sic%E5%8A%9F%E7%8E%87%E5%85%83%E4%BB%B6</link><guid isPermaLink="false">689ea4106aa481be492497e4</guid><pubDate>Fri, 15 Aug 2025 03:06:11 GMT</pubDate><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[超赫科技創新突破 帶領通訊產業進入新篇章]]></title><description><![CDATA[資料來源： DIGITIMES 超赫科技作為無線通訊器件領域技術開發者，著重於功率放大器半導體元件優化，主要使用三五族化合物半導體的電晶體，包括氮化鎵HEMT（GaN HEMT）、砷化鎵pHEMT（GaAs pHEMT），已於產業技術瓶頸上有重大突破。過去在無線通訊領域中，...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/%E8%B6%85%E8%B5%AB%E7%A7%91%E6%8A%80%E5%89%B5%E6%96%B0%E7%AA%81%E7%A0%B4-%E5%B8%B6%E9%A0%98%E9%80%9A%E8%A8%8A%E7%94%A2%E6%A5%AD%E9%80%B2%E5%85%A5%E6%96%B0%E7%AF%87%E7%AB%A0</link><guid isPermaLink="false">689ea333df9fab6286b3693c</guid><pubDate>Fri, 15 Aug 2025 03:03:10 GMT</pubDate><dc:creator>steveko8</dc:creator></item><item><title><![CDATA[超赫新專利 助攻通訊業]]></title><description><![CDATA[資料來源： 經濟日報  功率放大器（PA）廠超赫科技傳捷報，其所設計的特殊磊晶結構正式取得中華民國專利證書，並已著手海外六個國家專利申請案，目前都已進入最後審查階段，透過此特殊磊晶結構製造的高線性功率放大器元件，預料將會更具市場競爭力，並帶領通訊產業進入下一個新篇章。...]]></description><link>https://www.ultrabandtech.com/zh/post/%E8%B6%85%E8%B5%AB%E6%96%B0%E5%B0%88%E5%88%A9-%E5%8A%A9%E6%94%BB%E9%80%9A%E8%A8%8A%E6%A5%AD</link><guid isPermaLink="false">689ea29381e6ee2fae4f1daa</guid><pubDate>Fri, 15 Aug 2025 03:00:59 GMT</pubDate><dc:creator>steveko8</dc:creator></item></channel></rss>