パワーディスクリート

およびGaNデバイス。

パワー半導体製品ポートフォリオ

高電圧エンハンスメントモードソリューションは、デプレッションモード窒化ガリウム（DモードGaN）と低電圧MOSFET技術を組み合わせたもので、小型で高効率な急速充電およびパワーモジュール設計向けに特別に設計されています。

電源コンポーネント製品の組み合わせ

空乏型GaN（DモードGaN）と低電圧MOS技術を組み合わせた高電圧強化ソリューションで、小型で高効率な急速充電および電源モジュール設計向けに設計されています。

電圧クラス

ターゲットRDS(オン)

デバイスプラットフォーム

パッケージロードマップ

Part number	Platform	Voltage / RDS(on)	Integration	Package
UPDCC065A040P	GaN on SiC	650 V / 40 mΩ	Cascode with LVMOS	TOLL-4L
UPDCE065A040P	GaN on SiC	650 V / 40 mΩ	Embedded driver	TOLL-9L
UPDYE065A150I	GaN on Si	650 V / 150 mΩ	Embedded driver	QFN 8 × 8 mm
UPDYC065A150I	GaN on Si	650 V / 150 mΩ	Cascode with LVMOS	QFN 8 × 8 mm
UPDCC065A150I	GaN on SiC	650 V / 150 mΩ	Cascode with LVMOS	QFN 8 × 8 mm
UPDCC120A080P	GaN on SiC	1200 V80 mΩ	Cascode with LVMOS	TOLL-4L

急速充電とモジュール技術のロードマップ

部品開発からモジュール検証まで

レイアウト全体

2026年第4四半期

今

Now

2026年第3四半期

65W

フライバック

応用

準備ができて

100W

AHB

応用

準備ができて

240W

AHB

応用

準備ができて

500W以上

計画

140W

発達

NTT-ATと

電源部品需要に関するコンサルティング

目標とする電圧、電流、スイッチング周波数、パッケージタイプ、トポロジー、または放熱要件をお知らせください。